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MTK 驱动开发(3)---Memory 移植
Author 做机人 | Posted 2018-03-26 16:00:00

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一、MTK 平台和高通平台在器件选型时都要求选择已经验证过的器件,第一步需要QVL验证

1) 根据硬件原理图和EMMC 和DDR厂家的芯片资料, 确定EMMC 和DDR  64+4,型号如下:

EMMC: SamsungKLMCG4JETD_B041   

DDR:  H9CKNNNDATMUPR_NUH   

2)、到MTK 网站

https://onlinesso.mediatek.com/qvl/_layouts/15/mol/qvl/ext/QVLHomeExternal.aspx?FilterPlatform=y  进行QVL 验证。

产品: Phone

器件: Memory

类型: 可以选择分体式或一体化的

平台: 6797(自己项目的芯片)

导出 memory.xlsx,确认所选器件已经 在列表中。

EMMC: SamsungKLMCG4JETD_B041   153-FBGA   eMMC   64GB

DDR:    H9CKNNNDATMUPR_NUH         256-FBGA   LPDDR3   32Gb

二、通用

 1. 查看修改 DDR

vendor\mediatek\proprietary\bootable\bootloader\preloader\custom\6797_6m_n\inc\custom_MemoryDevice.h

   /*64+4*/

#define BOARD_ID MT6797_EVB

#define CS_PART_NUMBER[0]      H9CKNNNDATMUPR---已经有

#define CS_PART_NUMBER[1]      H9CKNNNCPTMRPR

#define CS_PART_NUMBER[2]      K3QF6F60AM

#define CS_PART_NUMBER[3]      K3QF4F40BM

#define CS_PART_NUMBER[4]      EDFP164A3PD

#define CS_PART_NUMBER[5]      MT52L512M64D4GN

#endif /* __CUSTOM_MEMORYDEVICE__ */

  2. 检查MemoryDeviceList_MT6737M.xls里是否有该flash

 vendor\mediatek\proprietary\bootable\bootloader\preloader\tools\emigen\MT6797\MemoryDeviceList_MT6797.xls

   list里面要有custom_MemoryDevice.h里用到的emmc


     5. 如果MemoryDeviceList_MT6797.xls 中没有,则需要加入对应的器件


    4. out目录查看编译的flash型号,及DDR时序


     // 编译时会调用emigen,emigen.pl脚本会解析MemoryDeviceList_MT6797.xls生成custom_emi.c

     out\target\product\MT6797\obj\PRELOADER_OBJ\inc\custom_emi.h

四、修改DDR时序

时序示例:

Vendor      

 Part Number          

  Type      

   Density(Mb)    Board ID  

   NAND/eMMC ID    FW ID    Nand Page Size

   MT6797  

五、修改DDR频率 - 需要关闭DVFS

alps\vendor\mediatek\proprietary\bootable\bootloader\preloader\platform\mt6797\src\drivers\pll2.c

  void  mt_pll_post_init(void)

六、修改DDR电压

 alps\vendor\mediatek\proprietary\bootable\bootloader\preloader\platform\mt6797\src\drivers\emi.c


七、打开DDR重新校验 - 使每次回复出厂设置后DDR重新校验

八、附件:MTK 平台QVL 验证时提醒

1. 下载MDL及ETT bin档案,请至查讯表格最左边Attachments栏位点选档名下载。旧平台显示Qulified但是查询不到附件的,请在Step2附件下载MTK_MVG_Release查询。

​2. MT6763/63T平台只支持LPDDR4X不支持LPDDR4,请采用LPDDR4X的memory请务必加上1个critical patch:ALPS03539337。

3. 在MT6735/35m/37/37m/53/37T系列平台适配nanya DRAM请参考FQA18273修改,否则有重启风险;在MT6580/70系列平台适配nanya DRAM请参考FAQ20089修改,否则有重启风险。

4. 从W1701开始,MT6582、MT6592,MT6580,MT6735/35m/37/37m的Memory验证,只到Timing ready阶段,只提供时序和ETT bin,不再做完整的测试。

5. Tohsiba 24nm NAND产品在MT6572平台上需要使用8 bit ECC算法,NAND id 需要7byte,spare size需要256 Byte。包含KSLCGBL2GA2H2A、KSLCGBL2RA2H2A、KTN0405CS_THT1、KTN0403CS_TCR1、MD5N04G02GSD2CRK、KSLCGBL2SA5H2A。配置不对有不开机的风险,请一定要使用QVLnew上release的版 。

6. Tohsiba 24nm NAND产品在MT6571平台上需要使用8 bit ECC算法,NAND id 需要7byte,spare size需要224 Byte。包括KTN0403CS_TCR1、KTN0405CS_THT1、KSLCGBL2RA2H2A、KSLCGBL2SA5H2A。配置不对有不开机的风险,请一定要使用QVLnew上release的版本。

7. MT6571/MT6572平台使用GB或JB版本的软件,并且DRAM容量在8Gb以上(含),需要上patch ALPS01676141。

8. MT6752和MT6732共用相同的ETT bin和MDL,MT6752的项目请同时查找MT6732的memory!

9. 对于Hynix eMMC5.0,0x03版本的FW不支持cache功能,0x06版本的FW有可靠性问题,有概率性的出现在开机阶段无限重启的情况。请注意,MP一定不能用0x06版的eMMC!当前Hynix正在准备新的一版FW,一修复以上可靠性问题。

10. H9TP64A8JDMCPR_KGM有批次性存在bit flip风险,请不要使用Lot number(IC上左下角一行)为MGR0Y93Q、MGOC289RQ、MGOZ367Q、MGOE072QC、MGOC251QC、MGOE072QD的批次!

11. 6572、6582、6592、6752、6732、6735、6735M、6753、6753T、6580平台搭载eMMC 5.1的时候请上patch ALPS02216993,否则无法开机。

12. Leahkinn/GCAI 的eMMC FW有bug,低概率性待机之后无法唤醒,需要保持eMMC的Vcc常开;保持Vcc常开的修改方法请参考与MDL一同release的How to keep eMMC VCC always power on.pdf 。

13. MT29TZZZ8D5BKFAH_125W_95K在Android M 上无法开机,请参考QVL上附件中的MT29TZZZ8D5BKFAH_125W_95K在Android M上的workaround solution.pdf,并按要求修改。

14. Hynix H9TP32A4GDDCPR_KGM 0x01版本FW有寿命问题,使用寿命只有3~6个月,请和Hynix确认,必须用0x02版FW的H9TP32A4GDDCPR_KG

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